- время накопления носителей (заряда)
-
время накопления носителей (заряда)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
- carrier storage time
Справочник технического переводчика. – Интент. 2009-2013.
ИНЖЕКЦИЯ носителей — (от лат. injectio вбрасывание), проникновение неравновесных (избыточных) носителей заряда в полупроводник или диэлектрик под действием электрич. поля. Источником избыточных носителей служит контактирующий ПП или металл (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ… … Физическая энциклопедия
ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ — (простые полупроводники), химические элементы, простые вещества которых проявляют полупроводниковые свойства (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ). Полупроводниковые свойства проявляют 12 химических элементов, находящихся в средней части Периодической системы Д.… … Энциклопедический словарь
ПЗС-ДЕТЕКТОР — координатный детекторчастиц, основой к рого является прибор с зарядовой связью (ПЗС,[1]). Создание детекторов частиц с высоким координатным разрешением однаиз важнейших задач ядерной физики и физики элементарных частиц (см. Координатныедетекторы) … Физическая энциклопедия
ПИ-МЕЗОНЫ — (p мезоны, пионы), группа из трёх нестабильных бесспиновых элем. ч ц двух заряженных (p+ и p ) и одной нейтральной (p°), относящихся к классу адронов и являющихся среди них наиболее лёгкими. Масса пионов промежуточная между массами протона и эл… … Физическая энциклопедия
скорость — 05.01.18 скорость (обработки) [rate]: Число радиочастотных меток, обрабатываемых за единицу времени, включая модулированный и постоянный сигнал. Примечание Предполагается возможность обработки как движущегося, так и неподвижного множества… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР — лазер на основе полупроводникового кристалла. В отличие от лазеров др. типов, в П. л. используются излучательные квант. переходы между разрешёнными энергетич. зонами, а не дискр. уровнями энергии (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ). В полупроводниковой активной … Физическая энциклопедия
Биполярный транзистор — Обозначение биполярных транзисторов на схемах Простейшая наглядная схема устройства транзистора Биполярный транзистор трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно… … Википедия
Магнетосопротивление — (магниторезистивный эффект) изменение электрического сопротивления материала в магнитном поле. Впервые эффект был обнаружен в 1856 Уильямом Томсоном. В общем случае можно говорить о любом изменении тока через образец при том же приложенном… … Википедия
ПРИБОР С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ — (ПЗС) интегральная схема, представляющая собой совокупность МДП структур, сформированных на общей полупроводниковой подложке т. о., что полоски электродов образуют линейную или матричную регулярную структуру. Расстояния между соседними… … Физическая энциклопедия
P — n-переход — (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… … Википедия